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我们客户的研究对技术进步做出了巨大的贡献，从新型光电子学和量子技术到先进材料等许多学科都产生了积极的影响。

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我们客户发表的研究报告

出版日期	研究论文	作者与出版链接	使用OI系统/技术	万博电脑网页版登录
2021年9月	的影响啊₂非晶氧化镓原子层沉积过程中的等离子体曝光时间	Hanno Kröncke, Florian Maudet, Sourish Banerjee, Jürgen Albert, Sven Wiesner, Veeresh Deshpande和Catherine Dubourdieu	FlexAL退化	半导体
2021年7月	Al的等离子体增强原子层沉积₂O_3.单分子层hBN作为界面层在石墨烯上的应用	Bárbara Canto, Martin Otto, Michael J. Powell, Vitaliy Babenko, Aileen O'Mahony, Harm C. M. Knoops, Ravi S. Sundaram, Stephan Hofmann, Max C. Lemme, Daniel Neumaier	Atomfab退化，FlexAL退化	二维材料，光电子，NEMS
2021年4月	离子对TiO等离子体辅助原子层沉积过程中薄膜一致性和结晶度的影响₂	卡斯滕艺术，Harvey Thepass, Marcel A. Verheijen, Riikka L. Puurunen, Wilhelmus M. M. Kessels, Harm C. M. Knoops	FlexAL退化	半导体
2021年2月	p-GaN在Al上的选择性刻蚀_0．25遗传算法_０．７５N在Cl₂/ Ar / O₂用于制备正常关闭GaN hemt的ICP等离子体	Andrzej Taube, Maciej Kamiński, Marek Ekielski, Renata Kruszka, Joanna Jankowska-Śliwińska, Paweł P. Michałowski, Joanna Zdunek, Anna Szerling	Plasmalab 100 ICP 180	分立器件(GaN PE / RF)
2020年10月	通过自顶向下、自底向上的组合方法，创建多面AlN纳米结构的规则阵列	R.Armstrong,大学出版社。库伦，P.Bozinakis, R.W.Martin, P.A.Shields	PlasmaPro 100眼镜蛇ICP蚀刻	光电子学、量子、半导体
2020年8月	用芳香抑制剂分子区域选择性原子层沉积TiN的金属/介电选择性	Marc J. M. Merkx、Sander Vlaanderen、Tahsin Faraz、Marcel A. Verheijen、Wilhelmus M. M. Kessels和Adriaan J. M. Mackus	FlexAL退化	半导体
2020年4月	氯的极性依赖性₂基于等离子体刻蚀的GaN, AlGaN和AlN	Matthew D. Smith, Xu Li, Michael J. Uren, Iain G. Thayne, Martin Kuball	等离子体80 ICP蚀刻	光电子，功率器件，量子，射频器件
2020年2月	低损耗TiO的研制₂波导	I. Hegeman, M. Dijkstra, F. B. Segerink, W. Lee和S. M. Garcia-Blanco	100年PlasmaPro RIE	光电子学
2019年12月	利用磁场重定向调谐高q超导谐振器	克里斯托弗·w·佐利奇、詹姆斯·奥沙利文、奥斯卡·肯尼迪、加文·多尔德和约翰·j·l·莫顿	100年PlasmaPro RIE	量子
2019年10月	沟槽辅助表面通道技术制备用于流体应用的大功率硅侧壁加热器万博电脑网页版登录	H. Veltkamp, Y. Zhao, M. J. de Boer, R. G. P. Sanders, R. J. Wiegerink and J. C. Lötters	100年PlasmaPro Estrelas(Bosch-based冲动),Ionfab IBE，80年PlasmaPro PECVD	微机电系统(MEMS)
2018年5月	高清晰度纳米压印印章的原子层蚀刻	Sabbir A. Khan, Dmitry B. Suyatin, Jonas Sundqvist, Mariusz Graczyk, Marcel Junige, Christoffer Kauppinen, Anders Kvennefors, Maria Huffman和Ivan Maximov	Plasmalab 100啤酒	量子
2018年3月	用衬底调节氧化物和氮化物的材料性能。等离子体增强原子层沉积在平面和三维衬底形貌中的偏置	Tahsin Faraz, Harm C. M. Knoops, Marcel A. Verheijen, Cristian A. A. van Helvoirt, Saurabh Karwal, Akhil Sharma, Vivek Beladiya, Adriana Szeghalmi, Dennis M. Hausmann, Jon Henri, Mariadriana Creatore和Wilhelmus M. M. Kessels	FlexAL退化	半导体
2017年8月	氮化镓原子层刻蚀(0001)	Christoffer Kauppinena, Sabbir Ahmed khan, Jonas Sundqvist, Dmitry B. Suyatin, Sami Suihkonen, Esko I. Kauppinen和Markku Sopanen	Plasmalab 100啤酒	分立器件(GaN PE / RF)
2015年2月	mems驱动光缓冲悬浮磷化铟波导的设计与制作	吴永华，Podoliak Nina, Horak Peter，吴江，刘慧云，Stewart William J.和Kenyon Anthony J.。	100年PlasmaPro RIE	光电子学
2010年12月	热等离子体辅助原子层沉积Al的介电特性₂O_3.薄膜	K. B. Jinesh, J. L. van Hemmen, M. C. M. van de Sanden, F. Roozeboom, J. H. Klootwijk, W. F. A. Besling，和W. M. M. Kessels	FlexAL退化	半导体、量子
2008年2月	用于HEMT应用的22 nm t门的制备万博电脑网页版登录	S. Bentley, X. Li, D.A.J. Moran, I.G. Thayne	100年PlasmaPro RIE	射频设备
2006年10月	在室温下电感耦合等离子体沉积低氢含量氮化硅	周海平，Khaled Elgaid, Chris Wilkinson和Iain Thayne	100年PlasmaPro ICPCVD	射频设备

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