RIE特点:
广泛的材料可以蚀刻,包括:
PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 800 |
PlasmaPro 100 | ||
电极的大小 | 240毫米 | 460毫米 | 240毫米 |
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加载 | 打开负载 |
负载锁定或盒式 |
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基板 | 240毫米 |
460毫米 |
200mm带载体可用于多晶片或小片 | |
MFC控制管线 | 8或12管路气箱可用 | |||
晶片级温度范围 | -150°C到400°C |
10°C到80°C | -150°C到400°C | |
背面冷却选项 | 是的 | 没有 | 是的 | |
ICP选项 | 是的 | 没有 | 是的 |
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集中等离子体 | 是的 | 没有 |