CVD是一种成熟的技术,用于沉积各种不同成分和厚度的薄膜,直至单层原子。
PlasmaPro 100纳米 |
700°C表 | 800°C表 | 1200°C表 |
薄膜的过程 | SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi* | SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi | SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi |
一维纳米材料 | 多壁碳纳米管,硅,锗纳米管,ZnO纳米管 | 多壁碳纳米管,单壁碳纳米管,硅,锗,ZnO纳米管 | 多壁碳纳米管,单壁碳纳米管,硅,锗,ZnO纳米管 |
二维纳米材料 | NA | NCG,垂直的石墨烯 | 垂直石墨烯,BN, MoS2 CVD石墨烯 |