电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)

在ICP源中产生高密度等离子体意味着该技术可以在低温下沉积低损伤的高质量介质薄膜。低温沉积是指能够成功地制备出温敏薄膜和器件。

我们的ICP CVD Process模块旨在产生高度
高质量薄膜与高密度等离子体在低沉积
压力和温度。

白皮书

ICPCVD (ICP CVD)系统技术示意图

突出了

离子能量和离子电流密度的独立控制
典型的过程压力：1-10 mtorr
等离子体密度:> 10^11.厘米^-3
与衬底接触的等离子体
沉积时能量离子电流低
离子电流(等离子体密度)依赖于ICP功率
纯电感等离子体的ESS（静电屏）
ICP全自动（2个RF自动分接单位）

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优良的品质，在降低的温度下，低损伤的薄膜。
沉积的典型材料包括SiO₂,如果_3.N._4.和锡，硅和SiC衬底温度低至5℃
ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm，输送工艺均匀性高达200mm晶圆
电极的温度范围从5ºC到400ºC
专利ICPCVD气体分配技术
用终点腔室清洁

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100
电极的大小	240毫米
晶圆尺寸	200毫米
加载	打开负荷	负载锁定或盒式磁带
基板	50mm晶片	高达200毫米的运营商选项可用于多晶片或小块
掺杂物	不	可用的各种掺杂剂，其包括pH _{3 ，b _{2 h _{6 ，geh ₄}}}
液体前驱	不	是的
MFC控制的燃气管道	8或12线气体箱可用
晶圆级温度范围	20°C至400°C	0°C至400°C
原位等离子体清洁	是的

我们开发了我们的ICPCVD清洁制度，可在机械清洁之间提供可重复的沉积和低颗粒

减少清洁时间
通过可选的交错清洁使用更高的利用率
精确的端点导致腔室组件的过度蚀刻并增加其寿命

图表显示各种ICPCVD等离子体清洁的终点比较

高速率清洁工艺功能

系统利用> 70％
科幻小说_6./ N.₂O气体混合物
改进的终点控制
等离子体清洁结果增加光强度与更大的端点信号/分辨率
实际等离子体清洁时间取决于薄膜材料，薄膜质量和薄膜厚度

交叉清洁模式

高利用率
高度可重复的沉积速率
在每片晶圆后保持低的添加颗粒数
>机械清洗间隔50微米

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