电感耦合等离子体蚀刻（ICP RIE）

ICP RIE蚀刻是一种高级技术，旨在提供高蚀刻速率，高选择性和低损伤处理。还提供了出色的轮廓控制，因为血浆可以保持在低压下。

这眼镜蛇^®ICP来源产生均匀的高密度等离子体，并具有低压运行的能力。底物直流偏置由单独的RF发生器独立控制，从而可以控制离子能量，从而为特定过程要求量身定制出出色的结果。

白皮书

ICP蚀刻系统技术图

关键好处

独特的宽温度范围电极从-150ºC到 +400ºC，多种材料和设备的过程解决方案范围
高离子密度（> 1011 cm3）和高自由基密度达到的高蚀刻速率
来源专为出色的交叉晶片均匀性而设计
控制低离子能量的选择性和损害
在低压处理下具有高密度反应性物种密度的出色轮廓控制
通过单独的底物直流偏置控制对离子能的独立控制

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硬件

	Plasmapro 80	浆果100	质北极星
电极大小	240mm
加载	打开负载	负载锁或盒式磁带	负载锁或盒式磁带
晶圆大小	最多50mm（2“）*	最多200mm	最多200mm
MFC控制气管	8或12线加油箱可用	3-5关闭耦合气线，可用于8-12外部的选项	8或12线加油箱可用
晶圆阶段温度范围	-150至400ºC

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用于LED或激光器和电源设备的GAN蚀刻
具有光滑蚀刻表面的垂直磷化磷脂（INP）波导
非选择性GAAS/ALGAA，为VCSEL实现光滑的侧壁
精确的VCSEL台面蚀刻具有出色的蚀刻深度控制
高度选择性的GAAS/藻类用于光电学
波导的氧化物蚀刻
失败分析申请，删除：万博电脑网页版登录
- 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物（钝化），，，
- 各向异性氧化物（IMD/ILD）
- 低K氧化物
- Al和Cu
- 背面散装SI

特征

单独的RF和ICP发电机可提供对离子能量和离子密度的单独控制，从而实现高过程灵活性
化学和离子诱导的蚀刻
也可以在某些低蚀刻率应用的RIE模式下运行万博电脑网页版登录

可以在ICP-CVD模式下用于沉积
高电导泵端口可为最快的蚀刻速率提供高气吞吐量
静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对设备的电损伤，减少了腔室颗粒
晶圆夹紧和氦冷却作为标准配置，可以选择宽的温度范围

具有光滑侧壁和干净表面的INP的ICP蚀刻

ICP蚀刻INP显示光滑的侧壁和干净的蚀刻表面

使用CR面膜对SIO2波导的ICP蚀刻

使用CR面膜对SIO2波导的ICP蚀刻

ICP蚀刻系统

Plasmapro 80 ICP

Plasmapro 100 Cobra ICP

Plasmapro 100 Polaris ICP

Plasmapro 80

出色的晶圆温度均匀性
可容纳最高200mm的晶片
优化的电极冷却

Plasmapro 100眼镜蛇

高密度反应性物种
宽温度范围电极，-150°C至400°C
应用于广泛的市场

plasmapro 100 Polaris

高吞吐量具有出色的蚀刻结果
高密度等离子体蚀刻源
增强的离子控制和均匀性

下载Plasmapro 80小册子

下载plasmapro 100小册子

下载Polaris手册

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