化学蒸气沉积（CVD）

CVD是一种完善的技术，用于沉积各种薄膜，具有不同的成分和厚度，直至单层原子。

CVD系统室的深入图

博客

网络研讨会

强调

底物直接坐落在可以加热到1200°C的电极上
通过顶部电极中的“淋浴”气体入口注入工艺室内的气体
固体/液体前体递送系统，用于新型过程，例如2D材料MOCVD，ZnO纳米线CVD等。
自动负载锁可以直接将样品转移到热桌上，并节省加热和冷却的时间。
血浆增强选项，用于较低温度沉积或血浆辅助转换或功能化以及腔室清洁。
在同一腔室中可能发生的广泛过程
plasmapro®100纳米是一种高温CVD/PECVD系统，该系统针对纳米结构材料和基于硅的薄膜的高质量沉积而定制。

请求更多信息 下载小册子

最多1200°C桌温度
直接和远程血浆增强选项
运行压力最多5托（更高）
干燥的血浆清洁过程具有终点控制的去除或减少物理/化学室清洁的需求
除12个气体输送管线外，多个加热/冷却的液体/固体前体递送系统。
提供广泛的材料沉积，包括：

基于SI的PECVD/ICP CVD过程和同一腔室中的高温CVD工艺
1D材料生长，例如碳纳米管，ZnO纳米线和Si纳米线
2D材料生长，例如石墨烯，HBN，MOS₂/WS₂和其他过渡金属二分法（TMDC）

CVD过程中的图像，远程等离子体

铜箔上的石墨烯域。（在完成胶卷之前被捕的生长以可视化SEM中的域）

铜箔上的石墨烯域

HBN的CVD增长

HBN CVD

MOS的CVD生长₂

mos₂CVD

更多2D材料...

plasmapro 100纳米	700°C桌	800°C桌	1200°C桌
薄膜过程	siox，sinx，asic，asi，μc-si，polysi*	siox，sinx，asic，asi，μc-si，polysi	siox，sinx，asic，asi，μc-si，polysi
1d纳米材料	MWNTS，SI，GE NWS，Zno NWS	mwnts，swnts，si，ge，zno nws	mwnts，swnts，si，ge，zno nws
2D纳米材料	NA	NCG，垂直石墨烯	NCG，垂直石墨烯，BN，MOS ₂ CVD石墨烯

下载小册子

请求纳米CVD的报价

CVD系统