原子层沉积(或ALD)是一种先进的沉积技术,允许以精确控制的方式沉积几纳米的超薄膜。ALD不仅提供了出色的厚度控制和均匀性,而且可以为高纵横比结构覆盖三维结构的保形涂层。
ALD依赖于自限制表面反应,因此通常提供非常低的针孔和颗粒水平,这有利于广泛的应用。万博电脑网页版登录所提供的薄膜和界面控制水平以及高薄膜质量是许多应用所追求的。万博电脑网页版登录等离子体的使用可以改善薄膜性能,控制其性能和广泛的可能材料。独特的表面预处理的灵活性允许低损伤处理。
原子层沉积通常包括4个步骤的循环,根据需要重复多次以达到所需的沉积厚度。该实例显示了铝的ALD2O3.使用Al (CH3.), (TMA)和O2等离子体。
步骤1)在底物中加入TMA前体蒸汽,TMA吸附在表面上并与表面反应。只要前驱体和参数选择正确,该反应具有自限性。
步骤2)清除所有残余前体和反应产物。
步骤3)低损伤远程等离子体表面暴露活性氧自由基氧化表面和清除表面配体,由于表面配体数量有限,该反应是自限制的。
步骤4)反应产物从腔室中排出。
只有第三步在H2O代表热过程或者O2等离子体。由于ALD工艺每循环沉积一(亚)埃厚度,对沉积过程的控制是在原子尺度上获得的。
1日著重
清洗
2日著重
清洗
除了热ALD的优点外,PEALD还允许更广泛的前驱体化学选择,提高薄膜质量:
高宽高比(15:1)结构保形涂层与高速率等离子体ALD SiO2
由FlexAL ALD沉积的Al2O3 -由埃因霍温理工大学提供
SiO的保形沉积2, TiO2和Al2O3.血浆ALD(CC BY 4.0许可证),图像库在www.AtomicLimits.com, 2021年
我们的产品提供以下功能:
FLEXAL |
ATOMFAB | |
加载 | 负载锁或卡带 |
可集群磁带 |
基板 | 高达200mm的晶圆处理和片在载体板上 | |
冒泡液体和固体前体 | 高达8,加上水,臭氧和气体 | |
前驱体源最高温度 | 200ºC | |
带有快速输送系统的MFC控制气体管路;1)热气体前驱体(例如NH3, O2) 2)等离子体气体(例如O2, N2, H2) | 高达10英寸外部安装的气体舱 |
通过原子层沉积,可以实现各种各样的材料,我们的工艺工程师可以保证和设置各种各样的工艺。对于新工艺,我们广泛的工艺知识和庞大的网络使我们能够提供起点配方,这应该是快速走向稳健工艺的良好起点。
通常,基于等离子体的工艺可以利用我们的等离子体知识和处理MFC控制的气体混合物,包括有毒气体。
二维材料ALD也可以生长,这是一种新的发展,目的是向高质量的MoS2薄膜发展。ALD化学控制有望在CMOS兼容温度下利用具有独特性质的2D硫化物,并在大面积(200mm晶圆)上进行精确的数字厚度控制。
金属 |
氟化物 |
硫化物 |
Pt |
阿尔夫<子> 3 |
金属氧化物半导体<子> 2 |
俄文 |
MgF <子> 2 |
氧化物 |
氮化物 |
2 Al <子> < /子> O <子> 3 |
AlN |
有限公司<子> 3 < /子> O <子> 4 |
|
Ga <子> 2子> < / O <子> 3 |
氮化镓 |
高频振荡器<子> 2 |
HfN |
在<子> 2子> < / O <子> 3 |
|
李2 <子> < /子>有限公司<子> 3 |
|
MoO <子> 3 |
|
Nb <子> 2子> < / O <子> 5 |
|
NiO |
|
SiO <子> 2 |
如果<子> 3 < /子> N <子> 4 |
SnO <子> 2 |
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助教2 <子> < /子> O <子> 5 |
棕褐色 |
TiO <子> 2 |
锡 |
我们<子> 3 |
WN |
氧化锌 |
|
锆 |
我们很高兴向大家介绍来自埃因霍温理工大学(TU/e)的两位博士生的研究项目。作为工程科学与技术领域的领先大学,TU/e一直致力于创新工艺技术,致力于推进原子层沉积(ALD)的工业应用,这是一种先进的沉积技术,允许在原子层厚度控制下沉积超薄膜。
经过牛津仪器等离子技术和埃因霍温理工大学15年的合作,我们继续推动ALD研究狗万正网地址和开发的边界,这是在纳米制造的许多应用中使用的发展最快的技术之一。万博电脑网页版登录两名研究生Karsten Arts和Marc Merkx都使用了牛津仪器公司的FlexAL ALD系统,该系统具有远程感应耦合狗万正网地址等离子体源,能够实现高质量的沉积。
我们的原子层沉积设备是建立在超过十年的经验。主要功能包括牛津仪器系统包括:狗万正网地址
Atomfab是市场上最快的HVM远程等离子体ALD系统,专为制造GaN HEMT和RF器件而设计。