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在本白皮书中，我们考虑等离子体处理的作用及其在定义设备性能和应用的最佳策略中的重要性。
我们还研究了肖特基势垒二极管(sdd)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等初级SiC器件的结构。
狗万正网地址牛津仪器等离子技术公司开发了一套创新的等离子工艺解决方案，旨在实现最大的碳化硅(SiC)器件性能。
阅读白皮书在本次网络研讨会上，Mark Dineen博士(牛津仪器技术营销经理)介绍了等离子体处理可用于提高SiC器件性能的5种方法。狗万正网地址
主题包括:
“碳化硅具有动力器件制造的一套独特的理想性能，并正在逐步应用于实现实现新的令人兴奋的技术所需的突破性性能。”
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