我们为量子光子集成电路提供三个关键应用万博电脑网页版登录:
我们提出了一系列低温蚀刻工艺来制造光学元件,如光栅,环形谐振器,光学滤波器,延迟线和波导,由Si/Si3N4制成。这些是量子计算机的关键组成部分,使光耦合到芯片,光子操纵和传输到单光子探测器。
我们的低温蚀刻工艺的特点是:
波什蚀刻结构
罪x低温腐蚀
SOI光栅耦合器
低温蚀刻SOI波导
最小扇贝大小 | |||||||||
腐蚀率 | > 3 μm/min | ||||||||
配置文件 | 90±0.5° | ||||||||
选择性 | > 45:1 | ||||||||
扇贝 | < 35 nm | ||||||||
深度 | 22μm | ||||||||
基于“增大化现实”技术 | ≈11 |
光滑的轮胎 | |||||||||
腐蚀率 | > 2 μm/min | ||||||||
配置文件 | 91° | ||||||||
选择性 | > 65:1 Si:SiO2 | ||||||||
侧壁粗糙度 | < 5 nm | ||||||||
深度 | 22μm | ||||||||
基于“增大化现实”技术 | ≈6 |
弯曲的概要文件 | |||||||||
腐蚀率 | > 190 nm/min | ||||||||
配置文件 | 形状的 | ||||||||
选择性 | > 12章1节 | ||||||||
侧壁粗糙度 | < 5 nm | ||||||||
深度 | 485年nmm | ||||||||
煤柱宽度 | ≈105 nm |
GaAs / AlGaAs异质结构
InP脊波导
GaN光子晶体
GaAs / AlGaAs光子晶体
InP光子晶体
InSb / InSbAs
硅最大的挑战之一3.N4应用于波导的沉积是膜内氢含量,万博电脑网页版登录通常来自前驱体,导致光学损耗。
因此,我们开发了一种高温PECVD工艺,该工艺显示出低浓度的氢,能够增强应力控制以及更高的沉积速率。这些使得Si3N4的高温PECVD特别适合于制造低损耗光学元件。
其他方法包括使用SiCl的ICP CVD4或低温ICP CVD,然后在超过1000°C的温度下原位退火PlasmaPro 100 Nano系统(最高温度:1200℃)。
PECVD膜应力控制
高温PECVD,低压边力腐蚀速率
启用这些解决方案是FlexAL而且PlasmaPro 100沉积和蚀刻系统,能够生产小到200毫米的晶片,可聚束以提高产量并避免真空破裂。我们的PlasmaPro 100该平台可用于量子器件的各种材料的高精度沉积和蚀刻。
我们为当今量子技术研发和设备开发中的各种方法提供各种设备制造挑战的关键加工解决方案。
狗万正网地址牛津仪器在提供最先进的解决方案方面有着悠久的历史,这一快速发展的应用程序是量子技术超越器件制造解决方案的关键推动者。万博电脑网页版登录