氧化硅

二氧化硅(SiO₂)是半导体、MEMs和光电子器件的重要材料。石英用于增强现实(AR)的光栅;掺杂氧化物用于波导和SiO₂可用于设备钝化。SiO₂可以使用以下几种技术进行沉积和蚀刻:

的PlasmaPro 100 Polaris将独特的静电钳(ESC)技术与我们成熟的Cobra300 ICP源结合在一起。这提供了优秀的重复性，同时保持高蚀刻速率和轮廓质量。

工艺优化，以优化的蚀刻速度，卓越的控制轮廓。

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高展弦比高质量纳米级SiO₂腐蚀

各向异性和各向同性轮廓可在竞争蚀刻率和优化的均匀性。

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在优化特征倾斜方面具有专业知识的出色的轮廓控制。

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优异的材料质量和低损伤，即使在较低的沉积温度。

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非常高的一致性与短周期时间(90毫秒prec。4.5 s等离子体)。礼貌你/ e

优异的厚度和折射率均匀性，以及高沉积速率下的应力控制。可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷。

SiO₂使用TEOS和O沉积₂采用ICP CVD法，在~50μm深沟槽中以4:1纵横比测量

极好的厚度和折射率均匀性。可在高沉积速率下控制应力。可以使用不同的化学物质:纯硅烷和稀释硅烷。

单片尺寸:最大可达300mm
批处理大小:可达43x2”，19x3”，10x100mm, 7x120mm, 4x150mm, 2x200mm
- 产品:PlasmaPro 800

优秀的化学计量与竞争的沉积速率。

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