碳化硅（SIC）

碳化硅（SIC）具有电子和物理性能，可为高功率应用提供出色的性能设备。万博电脑网页版登录它也被用作底物生长高质量氮化壳（GAN），以实现快速开关，高功率RF设备。SIC可以使用电感耦合等离子体蚀刻（ICP）并使用血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）或者电感耦合等离子体化学蒸气沉积（ICPCVD）。

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sic

白皮书：SIC Power设备的世界领先等离子体过程解决方案

在这份白皮书中，我们考虑了等离子体处理的作用及其在定义应用程序性能和最佳策略中的重要性。我们还检查了主要SIC设备（例如SBD和MOSFET）的结构。

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网络研讨会：实现SIC革命：血浆处理以提高性能

在本网络研讨会中，您将了解有关等离子体蚀刻和沉积如何在制造出色设备中发挥重要作用的五个技巧。您想了解的有关SIC的血浆过程解决方案的所有信息，但害怕问！

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适用的过程专业知识可证明具有缺陷表面的高蚀刻速率。对RF设备的Via Etch实现的基础层的极好选择性。在功率设备的功能蚀刻中显示出对轮廓的良好控制。

晶圆尺寸：最多200mm
- 产品：Plasmapro 100眼镜蛇和plasmapro 100 Polaris

有关ICP蚀刻的更多信息请求更多信息

以竞争性蚀刻速率优化了用于无缺陷蚀刻表面的过程。

晶圆尺寸：最多200mm
- 产品尺寸：plasmapro 100 rie

有关Rie的更多信息请求更多信息

可以使用不同的化学：纯和稀释的硅烷
高度均匀的膜，良好的压力控制
使用pH可以掺杂₃，b₂H₆，TMB，TMP。

晶圆尺寸：最多200mm
适用于300mm的晶片联系我们
批量大小：最多6x2”
- 产品：plasmapro 100 ICPCVD

有关ICPCVD的更多信息请求更多信息

可以使用不同的化学：纯和稀释的硅烷
高度均匀的膜，良好的压力控制
使用pH可以掺杂₃，b₂H₆，TMB，TMP。

晶圆尺寸：最多200mm
- 产品：Plasmapro 100 PECVD

有关PECVD的更多信息请求更多信息