氧化硅

卓越的控制轮廓与专业知识，优化倾斜的特点。

优异的材料质量和低损伤，即使在低沉积温度下。

优异的厚度和折射率均匀性，以及高沉积速率下的应力控制。可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷。

• 硅氮₄/ N₂O
• 硅氮₄/ O₂
• 张志贤/ O₂
• 低BOE的高质量薄膜
• 折射率控制
• 低温沉积可达20°C
• 沉积速率为5-100nm/min
• 可能使用GeH掺杂₄PH值,_3.B₂H₆， tmp, tmp。
• 单晶圆尺寸:最大200mm
• 批处理大小:最大5x2"
  • 产品:PlasmaPro 80
• 单晶圆尺寸:最大300mm
• 批处理大小:最大可达22x2"， 9x3"5x100mm, 3x120mm

厚度和折射率均匀性好。应力控制可在高沉积速率。可以使用不同的化学试剂:纯硅烷和稀释硅烷。

• 硅氮₄/ N₂O
• 张志贤/ O₂
• 低BOE的高质量薄膜
• 折射率控制
• 沉积速率为5 ~ 1000nm/min
• 可能使用GeH掺杂₄PH值,_3.B₂H₆， tmp, tmp。
• 单晶圆尺寸:最大200mm
• 批处理大小:最大可达9x2"， 4x3"
  • 产品:PlasmaPro 80&PlasmaPro 100

• 单晶圆尺寸:最大300mm
• 批处理大小:最大可达43x2”、19x3”、10x100mm、7x120mm、4x150mm、2x200mm
  • 产品:PlasmaPro 800