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磷化铟

狗万正网地址牛津仪器等离子体技术为磷化铟(InP)基器件的大批量生产提供世界领先的等离子处理设备。

通过与主要制造商和关键研发领导者的密切合作,我们确保等离子解决方案的最新创新已准备好充分利用您的设备。等离子体工艺解决方案已开发使用电感耦合等离子体(ICP),反应离子蚀刻(RIE)或离子束蚀刻(IBE)。

磷化铟(InP)及其与铝、砷化物和镓的相关化合物构成了许多促进通信革命的器件的基础。InP用于高功率和高频光电子和电子,如固态激光器。其优越的电子速度和直接带隙使得快速开关光学元件能够快速传输大量数据。它可以蚀刻使用电感耦合等离子体(ICP)反应离子蚀刻(RIE)离子束腐蚀(IBE)

白皮书
基于InP的设备示例

基于InP的设备示例:
埋地分布式反馈(DFB)激光器

卓越的轮廓控制,光滑的侧壁和蚀刻率最佳的蚀刻表面。

  • 晶片尺寸:可达100mm
  • 批处理大小:可达4x2"
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InP氯化过程

使用氯化化学过程,

InP ICP光滑表面

ICP-RIE在提供关键InP台面/山脊蚀刻所需的精确轮廓和光滑表面方面是无可匹敌的

优异的各向异性和光滑的表面。精确的深度控制。

  • 晶片尺寸:可达100mm
  • 批处理大小:可达6x2"
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极好的控制剖面。

  • 射频源可能采用CAIBE或RIBE
  • 晶片尺寸:可达200毫米
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InP CAIBE

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