砷化镓（GaAs）

砷化镓（GaAs）通常与之结合使用铝镓砷镓（Algaas）以在光电器件中形成镜子，例如vcsels.。它也是多量子阱（MQWS）的一部分，它们是许多设备性能的关键。Algaas可以使用干蚀刻电感耦合等离子体（ICP）那反应离子蚀刻（RIE）或者离子束蚀刻（IBE）。根据要求，蚀刻工艺可以是对GaAs的选择性的或非选择性的。

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Gaas.

具有低特色脚和光滑的蚀刻表面的优异轮廓，高蚀刻速率。

晶圆尺寸：最多200毫米
- 产品：PlasmApro 100.

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GaAs / Algaas ICP蚀刻

可以使用蚀刻GaAs / Algaas反应离子蚀刻（RIE）过程。具有低特色脚和光滑的蚀刻表面的优异型材。

单晶片尺寸：最多200毫米
批量大小：高达6x2“
- 产品：PlasmApro 100.

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Gaas / Algaas Rie

GaAs / Algaas多层蚀刻

可以使用的蚀刻GaAs反应离子束蚀刻（RIBE）过程技术。

竞争蚀刻速率，选择性和配置文件。

晶圆尺寸：最多200毫米
- 产品：Ionfab 300.

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Gaas Ribe.

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