射频解决方案

宽频带隙(WBG)设备是唯一能够为许多现代设备技术提供射频性能的设备。基站需要运行在高功率下的快速交换设备，以提供用户所需的数据传输量。创造、分散和获取能源的新方法对于满足日益增长的人口日益增长的需求至关重要。GaN HEMTs等半导体技术正被用于提高绿色技术(如电动汽车)和通信应用(如基站传输)的能源利用率。万博电脑网页版登录

复合半导体射频器件的工艺

狗万正网地址牛津仪器公司拥有广泛的加工设备，适用于基于化合物半导体的射频设备。

我们的原子层沉积工艺提供了出色的GaN/AlGaN钝化，降低阈值电压漂移，通过市场上最快的远程等离子生产系统实现:ATOMFAB．
我们的氮化镓腐蚀对功率半导体器件的工艺进行了优化，以减少等离子体损伤并产生光滑的蚀刻轮廓
蚀刻速率可以调谐到只有几个纳米/分钟的超低损害和控制蚀刻只有10-30nm的沃甘
SiC通过腐蚀具有优异的井壁质量，实现了高速率

ATOMFAB ALD系统

Atomfab是我们在ALD系统技术方面的最新创新，为GaN电源和射频器件提供快速、低损伤、低CoO生产的等离子ALD处理。

优秀的薄膜均匀性
低subsrate损害
竞争首席运营官

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