碳化硅和氮化镓功率器件

高效的电源开关和转换设备被用来使新技术成为可能，如电动汽车和本地电力创造和分配网络。

通过使用诸如原文如此和氮化镓意味着更低的能量损失。狗万正网地址牛津仪器对如何通过工艺解决方案来制造最优化的设备有着深刻的理解，例如原子层沉积，等离子体刻蚀和等离子体沉积．

电源设备解决方案

我们的原子层沉积工艺提供了优良的钝化GaN/AlGaN降低阈值电压偏移
Atomfab是我们ALD技术的最新创新，专为GaN和射频器件制造而设计。
我们的氮化镓腐蚀工艺优化以减少等离子体损伤和产生光滑的蚀刻轮廓
蚀刻速率可以调整到仅仅几个纳米/分钟的超低损伤和控制蚀刻仅仅10-30nm沃甘
SiC通过腐蚀以优异的侧壁质量达到高质量
SiC腐蚀特征显示平滑的蚀刻表面最佳的设备性能

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ATOMFAB ALD系统

Atomfab是我们ALD系统技术的最新创新，为GaN电源和射频器件提供快速、低损伤、低CoO生产等离子ALD处理。

优秀的薄膜均匀性
低subsrate损害
竞争首席运营官

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SiC孔蚀SEM图像

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SiC孔蚀近距离扫描电镜图像

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平滑和垂直的SiC特征蚀刻

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