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2D材料

什么是2D材料?

2D材料处于薄膜尺寸的极限,厚度降低到一个原子。这些材料具有最高的电子和光电特性,如今研究人员正在尝试利用用于电子,光电和能源应用的下一代设备。万博电脑网页版登录

尽管石墨烯启动了这些超薄材料的探索和应用,但它创造了许多其他2D材料(例如氮化物(HBN))和过渡金属二核苷(MOS)(MOS)的广泛探索和应用领域。2,WSE2ETC。)。尽管可以在自然界中找到这些材料,并且可以从散装晶体中剥落,但采用了基于化学蒸气的技术来轻松扩大以后的设备。

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2D材料制造:石墨烯EO调节器工艺

橙色工艺显示了牛津仪器技术涵盖的解决方案。狗万正网地址

2D材料应用万博电脑网页版登录

2D材料具有最高的电子和光电特性,如今研究人员正在努力利用用于电子,光电和柔性设备的下一代设备。

2D材料的各个方面对应用可能是有益的,并且根据应用程序,人们可能旨在用于晶体管较高的单层或在许多方向上用于催万博电脑网页版登录化应用(例如水分裂)的单层。

2D材料解决方案

2D材料(例如石墨烯,MOS2或HBN)可用于增强电流设备并构建新的设备架构。现在可以实现具有独特特性的FET,电池和过滤器。

一个经过验证的过程

在牛津狗万正网地址仪器等离子技术,我们在从高温CVD到低温ALD的各种过程中拥有丰富的经验。

石墨烯

该规范是针对通过化学蒸气沉积(CVD)过程。

  • 负载锁定的系统提供更高的吞吐量,因为不需要生长室的冷却来交换样品
  • 他清除该过程需要清除气体
  • 石墨烯层的存在将通过拉曼光谱峰2D分析测试
  • 1层石墨烯将通过拉曼光谱证实
石墨烯的特征拉曼峰
石墨烯EO调制器用于数据量图

Datacom的石墨烯EO调制器。


2D HBN

该规范是针对通过化学蒸气沉积(CVD)工艺获得的。为了进行过程演示,b2H6用作硼源和NH3作为Cu/Ni箔上的氮作为催化剂底物。

  • 温度> 900°C
2D HBN 拉曼移2D HBN

2d mos2和TMD

我们提供配备有前体蒸气输送模块的PECVD系统,用于增长二维材料(例如MOS)2,WS2等等

良好的厚度控制,低缺陷和强发光

高质量的MOS2

  • AFM显示明确的步长和光滑均匀胶片
  • 拉曼表示,一个单层被沉积,特征峰间隔21.1厘米 -1除外
2D MOS2的特征拉曼峰

PECVD石墨烯

纳米晶石墨烯在介电底物上的直接生长使用血浆增强化学蒸气沉积。

  • 温度> 900°C

2D异质结构

2D钼二硫化物的原位生长(MOS2)石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体(ICP)CVD系统,配备了前体蒸气输送模块,用于生长二维层和材料的异质结构,例如石墨烯,MOS2,WS2等等

这是一个三步的过程:

  • 步骤1:在Cu上种植石墨烯
  • 第2步:将石墨烯从CU转移到SIO2
  • 步骤3:生长MoS2在Sio上转移的石墨烯2

过程功能:

  • 温度> 900°C
  • 单层MOS的形成2通过拉曼光谱证实
  • 沉积时间至关重要,确保MOS的完整单层2形成了
  • MOS的温度2石墨烯的沉积及其质量对于MOS期间石墨烯的稳定性至关重要2过程
Mos <sub> 2 </sub>的拉曼移位 拉曼移动WS <ub> 2 </sub>

垂直石墨烯

  • 温度600°C -900°C
  • 负载锁定的系统提供更高的吞吐量,因为不需要生长室的冷却来交换样品
  • 他清除该过程需要清除气体
  • 成核取决于潜在的底物和C源组合(Carbon,2013,第58、59-65卷)
PECVD垂直石墨烯的结构

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2D材料的血浆处理解决方案

对于原子层沉积方法2D材料,我们的挠性可以专门配置系统,以允许2D过渡金属二分法生长,例如MOS2。这挠性是生长金属氧化物种子层的理想选择,用于硫化,高K电介质的沉积,表面预处理和2D材料封装。

  • 一个灵活的工具中的远程等离子体和热ald
  • 使用远程等离子体维持的低损害
  • 通过配方驱动的软件接口可控,可重复的过程
  • 选择材料和前体的最大灵活性

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挠性ALD系统

挠性ALD系统对于石墨烯之外的2D材料。

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