什么是2D材料？

PECVD石墨烯

纳米晶石墨烯在介电底物上的直接生长使用血浆增强化学蒸气沉积。

• 温度> 900°C

2D异质结构

2D钼二硫化物的原位生长（MOS₂）石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体（ICP）CVD系统，配备了前体蒸气输送模块，用于生长二维层和材料的异质结构，例如石墨烯，MOS₂，WS₂等等

这是一个三步的过程：

• 步骤1：在Cu上种植石墨烯
• 第2步：将石墨烯从CU转移到SIO₂
• 步骤3：生长MoS₂在Sio上转移的石墨烯₂
  
  

过程功能：

• 温度> 900°C
• 单层MOS的形成₂通过拉曼光谱证实
• 沉积时间至关重要，确保MOS的完整单层₂形成了
• MOS的温度₂石墨烯的沉积及其质量对于MOS期间石墨烯的稳定性至关重要₂过程

垂直石墨烯

• 温度600°C -900°C
• 负载锁定的系统提供更高的吞吐量，因为不需要生长室的冷却来交换样品
• 他清除该过程需要清除气体
• 成核取决于潜在的底物和C源组合（Carbon，2013，第58、59-65卷）

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