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制造SiC器件需要等离子体处理技术的专家知识，以最大限度地提高器件性能，观看此网络研讨会以了解更多关于这些技术的信息。
在本次网络研讨会中，您将了解到:
SiC的高带隙、高导热、高击穿场等材料特性，在功率开关/转换应用领域提供了远超Si的潜在性能。这些特性使得碳化硅在电子工业中非常有吸引力，用于电动汽车、火车和航空航天的动力设备。
狗万正网地址牛津仪器公司对如何通过其工艺解决方案制造最优化的设备有深刻的理解。凭借在蚀刻材料方面的丰富经验，我们使SiC制造商能够实现光滑的侧壁，优异的表面质量和保持竞争优势所需的蚀刻结果。
下载手册PlasmaPro 100 Polaris专为蚀刻SiC、GaN和蓝宝石等坚韧材料所需的苛刻化学物质而设计，可在直径达200毫米的晶圆上均匀地提供快速蚀刻速率。
碳化硅孔蚀刻SEM图像
碳化硅孔蚀刻特写SEM图像
平滑且垂直的SiC特征蚀刻
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