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离子束技术通过提供单一工具和最大化系统利用率，为蚀刻和沉积提供了一种异常通用的方法。
优越的工艺重复性和较低的拥有成本使Ionfab工具成为从研发到批量生产的可配置的优秀系统。
| 离子刻蚀源 | 150mm或300mm的多达4”和8”分别 |
| 蚀刻区 | 直径可达200毫米或150毫米见方 |
| 滚筒速度 | 高达20rpm |
| 压板倾斜角度 | 光束与基材表面之间的距离为0º至75º |
| 滚筒热 | 嵌入式加热器高达300ºC PID控制 |
| 滚筒冷却 | 流体冷却剂5ºC至60ºC，带有He或Ar背面气体，用于衬底冷却(最高50Torr) |
高真空操作允许离子束沉积提供高质量的薄膜和优良的电学和光学性能。
| 离子沉积源 | 150毫米 |
| 沉积区 | 可达200毫米 |
| 基片转速 | 高达20转/分钟 |
| 目标数目 | 多达4个目标 |
| 滚筒尺寸 | 可达8英寸晶片 |
| 滚筒的旋转 | 最高可达500rpm |
| 压板倾斜角度 | 光束与基材表面之间的距离为0º至75º |
我们有多年的专业知识在蚀刻斜面上大面积。我们的解决方案旨在提供表面浮雕光栅所需的制造质量。
我们的解决方案为高达200mm的晶圆尺寸提供了市场领先的均匀性。
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