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磷化铟(InP)是一种具有高电子迁移率的直接带隙III-V型化合物半导体。这使得它成为光电器件的理想选择，如高频激光二极管(LD)，光电二极管，微透镜等。
为了在制造过程中控制这些材料的关键尺寸，必须实现垂直轮廓，低设备损坏和良好的侧壁表面质量，以获得理想的结果。
在本次网络研讨会上，Mark Dineen博士将重点介绍InP和相关材料的等离子蚀刻溶液，分析两种InP蚀刻化学物质CH4/ Cl2/小时2和Cl2基于“增大化现实”技术。此外，他还将演示成功制造各种光电子器件的工艺要求:激光二极管(LD)，光电二极管，阵列波导光栅(AWG)和微透镜。
观察记录
Mark Dineen博士是一位经验丰富的技术营销经理，拥有超过20年的等离子加工经验。他最近的工作包括将这些知识应用于从半导体激光器到gan基射频器件的广泛设备。
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