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原子层沉积超导量子比特

量子效率的设备严重依赖的选择和手术期间超导材料的质量。原子层沉积(ALD)是一种先进的技术,存款与量子精密超薄薄膜。

我们的退化过程使您产生电影与纯度高,精确的厚度控制,保形涂层在高纵横比在大面积基板结构和均匀性。

白皮书

对超导单光子探测器的材料是很重要的选择展品超导行为在高临界温度(Tc)为了避免额外的制冷机低Tc材料所需的技术,而量子效率(QE)和量子检测这些设备的效率最大化。

下载我们的白皮书和学习的优势,我们的原子层沉积过程提供了超导设备。

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“肾上腺脑白质退化症”的量子设备

原子层沉积超导NbN公司禁止的

超导薄膜沉积NbN公司禁止通过血浆ALD射频衬底偏置

超导金属氮化物展览超导行为在高临界温度(Tc),实现更好的性能在量子设备损耗本机氧化物因为他们低于典型气急败坏的超导材料。我们已经开发出一种plasma-enhanced ALD过程沉积高质量,高Tc NbN公司禁止超导设备。

  • 射频偏压使应力控制实现室温电阻率最小
  • 低的室温电阻率与更高的超导转变温度(Tc)
  • 保形涂层的唯一方法垂直tsv超导薄膜
  • 9 K Tc牛津仪器测量:狗万正网地址
    • ~ 45纳米薄膜沉积NbN公司禁止在250°C
    • 室温ρ= 139µΩcm;Tc K = 12.9
  • 更高的温度过程可能导致更高的Tc
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偏置功率图 Tc = 12.9 k图

原子层沉积超导锡

超导薄膜沉积锡通过血浆ALD射频衬底偏置

我们成功地沉积超导锡通过血浆ALD使用偏差可以很好地调整电影属性如室温电阻率、结晶度和压力。因此,这已经达到了临界温度的3 K 90纳米薄膜沉积在250°C

  • Tc90 nm ~ 3 K的锡
  • 内部质量因素是谐振器质量的关键措施
  • 成功制造微波谐振器的内部质量因素气> 106在~ 250可测量,基于锡通过血浆ALD的沉积FlexAL系统(Coumou等,2013)
  • RF-bias:变量来调整结晶度、电阻率、电影密度和压力
  • 进一步优化可能
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原子层沉积的隧道壁垒

正形,杜绝了& low-pinhole隧道plasma-enhanced ALD壁垒

结合血浆ALD的好处(PE-ALD)与其他技术集群系统的能力和释放独特的功能。

血浆ALD的关键优势2O3:

  • 高击穿电压
  • 低漏电流
  • 低的针孔
  • 非常光滑的影片最低噪音
  • 更高的密度
  • 原子厚度精度
  • 每周期更快的增长
  • C & H含量低

去除无定形氧化本地种植优质PE-ALD之前2O3通过:

  • 使用原位pre-clean基于氮化/降低等离子体
  • 集群的啤酒或金属腐蚀模块
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隧道结带注释的图
低漏电流血浆ALD图和注释

(来源:Jinesh et al ., 2011)

ALD量子系统的应用程序万博电脑网页版登录

FlexAL原子层沉积(ALD)系统提供了一个广泛的高质量的退化过程优化隧道的制造障碍和钝化层各种量子设备,并使超导薄膜的沉积具有高临界温度,tsv谐振器和单光子探测器。

狗万正网地址牛津仪器有很强的历史在这个快速发展提供先进的解决方案应用程序的关键推动者量子技术以外的设备制造解决方案。万博电脑网页版登录

FlexAL ALD系统

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