等离子处理如何启用最佳的碳化硅设备

2019年2月14日|作者：Mark Dineen博士

去年，我很幸运能参加ECSCRM SIC的一次会议。如果我将一件事作为会议的持久记忆是，这只是SIC设备的开始，他们的未来非常非常令人兴奋。尽管它已经在某些利基应用程序中建立，但我们将看到它变得越来越普遍，可以改善绩效，这意味着许多领万博电脑网页版登录域的变化。我们参与SIC的人将非常忙 - SIC拥有美好的未来。

与SI相比，SIC具有出色的材料特性：高带隙，高导热率，高击穿场等，这使得其潜在性能在功率开关/转换应用领域中远远优于SI。不幸的是，SIC一直很难制作和处理。难以增加成本，因此直到最近SIC才仅用于其性能至关重要的应用程序……所有正在改变的应用程序！万博电脑网页版登录SIC Wafers仍然无法供不应求，去年会议上的主要部门是缺乏可用的晶片，它们的生产量更高，并且直径更高，这两个都在使越来越多的设备能够制造出来。

既然您有了更多的高质量晶片，则需要能够有效地处理它们，因此血浆处理是答案。

原因1晶片的血浆蚀刻非常适合改善SIC外延生长

晶圆后，表面可能会造成很大的损害，这将导致SIC外延层中的缺陷以及设备中的损失和热量产生。通过使用反应性离子蚀刻（RIE）您可以摆脱这种损害，以揭示下面的高质量SIC，非常适合高质量的材料增长。

原因2功能的等离子体蚀刻使高性能装置的几何形状

SIC设备（例如UmosFets或Super Junction SBD）需要刻在SIC中的功能。SIC是一种非常艰难的材料，但通过使用高密度等离子体蚀刻ICP-Rie可以在有效的COO上创建所需的功能。狗万正网地址牛津仪器等离子体技术（OIPT）开发了工艺解决方案，用于平滑功能，没有立足。

原因3等离子体沉积可以提供钝化和栅极介电以制造高性能设备

来自Sio₂经过血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）到Al₂o₃经过原子层沉积（ALD）OIPT具有解决方案和理解，可以修改表面并创建使SIC设备工作的接口。

随着设备处理变得越来越成熟，晶圆的尺寸会增加（即使在ECSCRM上展示了200mm的晶圆），而SIC市场的成本降低了。It already has a strong position in EV/HV power management and high power inverters for renewable energy applications, with the prices coming down it’s performance and overall system costs mean that it will become the device of choice for many more applications, saving money and energy. Plasma processing is key to this and OIPT has the high volume manufacturing solutions ready to go.

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