上周我在美丽的波士顿，在红砖摩天大楼和哈佛和麻省理工的稀薄气氛中化合物半导体周(CSW)．世界基督教联合会(实际上是3天半)是两个会议的结合，化合物半导体国际研讨会和磷化铟及相关材料内部会议。它汇集了学者、学生和工业科学家，介绍了从基于锑化物的红外探测器、使用石墨烯制造场效应晶体管(fet)到金属有机化学气相沉积(MOCVD)合成GaN的主题。作为一名应用万博电脑网页版登录工程师，他花了很多时间思考等离子体和在样品中制造孔，讨论完成的设备和形成它们的其他过程是很有趣的。

狗万正网地址牛津仪器等离子技术正在展示一张用氯和氩进行ICP蚀刻InP的海报。甲烷、氯、氢刻蚀InP的主流工艺具有工艺窗口宽、衬底温度低等优点。然而，氢气可以改变半导体的电学性质，该过程产生碳基聚合物，涂层样品和腔室增加了工艺步骤和清洗时间。氯-氩工艺是聚合物和无氢的，为某些类型的InP蚀刻提供了一种替代工艺。这一过程可以使用光学发射光谱(OES)来跟踪，它可以观察等离子体的光谱，以确定哪些层正在蚀刻。

有一个关于氧化镓的主题会议。βga₂O_3.是一种透明导电氧化物，具有极高的带隙(≥4.8 eV)和非常高的击穿电场(E_br= 8 × 10⁶五厘米⁻¹)．这使得它成为下一代高频通信系统和节能电力电子设备的理想材料。当前设备被放大到接近其工作电压的极限。如果设备的能源效率要继续提高，就必须找到新的材料。论文从Ga的合成开始，讨论了不同的主题₂O_3.通过熔体生长和气相外延，降低了β-Ga掺杂的难度₂O_3.与Al形成固溶体₂O_3.到生产完整的测试设备，如fet。

会议提供了目前在半导体领域的研究的一个很好的概述。现在回到工作上来我有数据要展示CSW2019在日本!

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作者:Katie Hore博士