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30年的功率半导体研究庆祝ISPSD 2018年,芝加哥

我们从ISPSD 2018

早在1987年我离开学校,去大学同时在费城有收集了一系列的全球专家在一个相对较新的一类设备功率半导体。

阅读的论文标题第一个会议主题是常见的今天发现,即创新方式的设计、制造和测试设备来获得最好的性能。为什么这个很重要,为什么它已经进行了30年吗?它是重要的为了提高电能的传输和利用使当今世界成为可能。功率半导体电源管理的核心是在今天的连接世界和30年?不断创新是提高设备的效率,它有一个令人难以置信的真实世界的影响;一个很好的例子是来自美国能源部报告效率提高1%的电力供应全球IT业相当于没有建造5座核电站。所有这些工程师和科学家致力于改善设备不仅允许等新技术电动汽车蓬勃发展,也减少对环境的影响生产和使用权力。例如太阳能将更有效,而设备创建将电力从那里,(通常是远程阳光网站)运到需要的地方(通常更晴朗的网站像我家)。

有趣的是我在今年的会议全体会谈是共享:一个看着Si设备和一个展示宽的带隙(银行)设备。Si设备功率半导体行业的骨干和他们的性能和技术水平不断提高。然而,这项技术现在已经接近Si的基本限制和使用新材料新设备,主要是碳化硅和氮化镓在未来,但谁知道也许钻石和Ga2O3也会有一席之地。碳化硅和氮化镓电子迁移率等一些性质,带隙和导热系数,使它们适合高功率和高频设备。这些材料都是令人兴奋的和巨大的潜力,但我认为的一些工程师这样的会议,在处理困难和未知的行为。所以会议有一些伟大的论文设备设计、建模和处理新的世行集团设备。一个常见的问题是动态罗恩GaN设备,这就是设备的电阻变化是在高频导致了一种电流崩溃。这是提出与捕获状态在闸极介电层/半导体界面和反过来这可能是通过改善原子层沉积(ALD)沉积介质。狗万正网地址牛津仪器等离子技术提供创新的解决方案“肾上腺脑白质退化症”,原子层蚀刻(ALE)PECVD与我们的客户紧密合作,帮助他们解决他们的问题。激情和创造力在今年看到的ISPSD和期待未来30年里会发生什么!

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作者:马克Dineen博士

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