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取证-一个选择的问题

原子层沉积技术有哪些?

在任何关于沉积工艺的讨论中,通常第一个问题是哪种技术最适合。这个问题的答案通常是明确的,但在某些情况下,它需要对应用程序和生产目标有详细的了解,以便给出一个合格的答案。

了解使用哪种技巧的典型问题有:

这看起来似乎有很多问题,但它们确实有助于缩小选择范围,避免花时间尝试错误的技术。通常我问的第一个问题是要涂覆的结构,如果长宽比很高(>10:1),那么ALD就会成为明显的首选。如果需要的是存放Si等材料3.N4在非严格要求的拓扑上,选择就不那么明确了;PECVD、ICPCVD、ALD、离子束溅射沉积等。如果需要在高质量和低温下沉积材料,ICPCVD或离子束是可能的选择。当损害是一个强烈的关注,那么ICPCVD可能是一个可能的选择。如果你想更多地了解每种技术的优点,你可以找到一个概述在这里

我已经在等离子技术公司从事沉积工艺工作近20年了,我的许多团队成员也是如此。如果您需要沉积工艺解决方案,请给我们写信,我们总是欢迎利用我们的经验进行良好的讨论,以确定什么是最适合您的应用需求。

作者:Chris Hodson,高级产品经理

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