作者:伤害努博士

尽可能多的人参与原子层沉积(ALD)可能知道,area-selective退化是目前的一个热门话题。
论文、研讨会和博客有很多(例如,最近原子限制博客或文章在秃工程)和他们解释什么激动人心的新选项用于area-selective增长。在某种意义上area-selective ALD利用效果历史惹恼了“肾上腺脑白质退化症”的用户,即由于ALD的化学性质,成核可以依赖于初始表面。一般来说,在“肾上腺脑白质退化症”的工作领域进行最小化这种效果,例如血浆ALD通常延迟可以忽略不计,但对于area-selective ALD,成核延迟影响巧妙地扩大。

有趣的是,尽管血浆ALD一般没有成核的延迟,它仍然可以用于area-selective ALD,作为我的大学在埃因霍温的同事最近(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。关键是重新应用所有的抑制剂,等离子体接触后,这可以通过三个步骤ABC退化过程,如下所示。

一个问题在我脑海中出现ALD什么样的系统将人们想学习area-selective ALD,我相信我们的系统有一些特性可能是有益的。例如:

• 广泛的前兆和其他化学品可以给。气体pod允许广泛的MFC控制气体。
• 可以使用抑制剂分子(例如,NH流动₃或公司的前身剂量)。
• H自由基抑制剂:使用H等离子体(或另一个等离子体)之前的前兆在某些表面剂量抑制增长
• 氟等离子体:CF_x或F作为抑制剂,运行这样一个等离子体在前体剂量,或做area-selective ALD通过一个蚀刻步骤在同一室每隔几个周期(注意啊₂等离子体蚀刻俄文例如和H₂等离子体蚀刻氧化锌)
• sam剂量抑制经济增长
• 集群与ICP-CVD室(晶硅:H增长),溅射室或原子层蚀刻(ALE)室
• 衬底偏压对原位表面改性或腐蚀

我们的工具一般还提供良好的控制,例如他们有:

• 可协调的剂量也可以使用这样一个表面成核而不是另一方面通过使用快速ALD阀门和快速自动压力控制。还MFC可以给精确控制气体ALD阀门。
• 高系统清洁由于涡轮和loadlock继续抑制完好无损了很长一段时间。
• 等离子体能力条件或洁净室和“重置”
• 增长与原位监测诊断:光谱椭圆光度法、质谱法,光学发射光谱学

聚类的思想,结合腐蚀已提出了area-selective ALD再次引导我的想法原子尺度加工,之前我在一篇博客文章讨论(工具箱进行原子尺度处理)。我可以想象,通过结合area-selective ALD和其他进程可以成长小说超材料和独特的结构。例如:通过生长石墨烯选择性接触铜、或只有有效地长在侧壁的结构通过定期蚀刻平面(即沉积。,从地形上选择性ALD)。为此组合与方向离子暴露可能是一个好处,在一个单独的等离子体腐蚀装置或在FlexAL衬底偏压特性。总体我期待很多新的令人兴奋的发现和新的结构和材料能够控制的方式。

作者:伤害努博士