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ALD/ALE 2018,韩国

ALD/ALE 2018即将到来

这个周末ALD /啤酒会议将从韩国开始,我一如既往地期待着这次会议。每年的ALD会议对我来说已经成为一种传统,因为它是ALD/ALE发展新闻的主要舞台,以及如何以原子级精度沉积和去除材料的见解。此外,这是一个会见来自世界各地的同事和朋友的好地方。我从我的兴奋狗万正网地址牛津仪器等离子体技术(OIPT)角色,因为正在进行的有趣的新开发和应用程序,以及人们使用我们系统的许多好方法。万博电脑网页版登录此外,我对我的兼职感到兴奋埃因霍温理工大学大科学的作用既是大科学的期待,也是大科学的讨论,而不仅仅是为了“肾上腺脑白质退化症”但是对于啤酒以及它们的组合。在这篇博客中,我将展望一些我预期的会谈和可能的趋势。在讨论这些问题的时候,我一直克制着要做到完整和科学的冲动。

很难判断哪些应用程序最受关注。万博电脑网页版登录我认为在许多高端应用中普遍存在的一个方面是对高质量材料的控制沉积的渴望,强调对界面和缺陷的控制。万博电脑网页版登录在这方面,电力电子是一个很好的例子,ALD和ALE在提高可靠性和提高设备性能方面都有很大的潜力。一般来说,通过将ALD和ALE社区结合在一起,可以实现许多有趣的选择。热还原还原就是一个突出的例子,离子能量控制在等离子体刻蚀中很常见,目前也正在等离子体还原还原中进行探索。关于清洁,平滑和其他结合ALD和ALE的方法的想法也提出了。

这样的组合让我想到了原子尺度处理(ASP),我预计随着沉积和蚀刻社区的重叠将变得更加突出。

使用我们系统的人将在ALE方面做出相当多的贡献,OIPT,劳伦斯伯克利国家实验室你/ e格拉斯哥大学而且喷气推进实验室.有趣的是,这些都是在广泛的系统(包括ALE和ALD)上获得的,包括等离子体和热ALE,它们显示出各向异性和各向同性的蚀刻。ALE似乎已经成为一个广阔的领域。Mike Cooke博士将在周日的教程中讨论ALE对工艺工具设计的影响其他的讲座将在周一和周二。

另一个我认为我们可以标记为趋势的主题是区域选择性ALD。来自TU/e的Adrie Mackus将受邀发表关于使用先进循环实现区域选择性ALD的演讲。在这些先进的循环中,最令我震惊的是,等离子体ALD可以用于区域选择性ALD,此外,它是将沉积与蚀刻结合起来带来新的可能性的一个例子。更多信息请查看我们之前的博客。区域选择性ALD

OIPT开创的另一项技术正在获得关注(尽管我可能太接近这一点而不能称之为它)是在血浆ALD中应用底物偏压。我用我们的FlexAL系统从低离子能到高离子能,从氧化物、氮化物到碳化物。我发现很有趣的是,衬底偏压可以提供我们在ALD中无法通过任何其他方法获得的材料特性。

此外,我们之前强调的二维材料也将被展示。我们介绍了FlexAL2D去年的配置。4月,一篇关于MoS的论文2在埃因霍温发表了使用FlexAL2D的沉积,在本次会议上,Shashank Balasubramanyam将介绍WS的控制2等离子体ALD过程中的材料性能。很高兴看到ALD和硫化物ALD的2D材料生长总体上正在加速。

除了在新工艺和改进材料性能方面取得的成就外,我还珍视纯科学的发展。我的博士生Karsten Arts将展示通过横向高纵横比结构进行的共形研究。有趣的个人说明,8年前,我作为一名博士生去了韩国的ALD会议,并发表了关于一致性研究的演讲,很高兴看到对一致性的追求是活跃的。

对于那些要去的人,会议上见,注意,如果你在会议期间有任何关于ALD或ALE的问题,或者只是想打个招呼,请在我们的展位或任何地方找到我或我的同事。下面是我所知道的使用我们系统的贡献列表(可能还有更多):

啤酒:

  • 啤酒教程ALE对工艺工具设计的影响-教程,迈克·库克,OIPT出版社
  • ALE2-MoA13用乙酰丙酮和O2等离子体,作者:Alfredo Mameli, TU/e
  • ALE2-MoA15基于原位俄歇光谱表面分析的双势垒gan基功率器件原子层蚀刻工艺优化,作者:徐力,格拉斯哥大学
  • ALE1-TuM1常规等离子体系统中二氧化硅氟碳基原子层刻蚀,作者Stefano Dallorto,劳伦斯伯克利国家实验室
  • ALE1-TuM8通过与碱化合物的二次相互作用改进基于热hf的ALE方法John Hennessy,喷气推进实验室

“肾上腺脑白质退化症”:

  • AF2-MoA17热等离子体增强Al原子层沉积2O3.和高频振荡器2利用原位俄歇电子能谱研究薄膜,作者:周海平,格拉斯哥大学
  • 邀请:AS-TuM7区域选择性原子层沉积的先进循环, Adrie Mackus著,TU/e
  • AF2-TuA15通过横向高宽宽比结构研究热和等离子体辅助ALD的保形性限制机制,卡斯顿艺术,TU/e
  • NS + ALE-TuA16控制纳米结构WS的材料性能2提高电化学性能,作者Shashank Balasubramanyam, TU/e
  • AF1-WeM1中低能离子在PEALD过程中的作用,作者:Marceline Bonvalot, CEA-Leti
  • AF1-WeM2等离子体ALD过程中的高能离子及其在材料性能调整中的作用,作者:Tahsin Faraz, TU/e
  • AF1-WeM7在等离子体增强ALD过程中通过等离子体和离子能量控制来定制碳化钼性能,埃尔达·格雷迪著,TU/e
  • AA3 + AF + EM-WeM7等离子体增强原子层沉积过程中衬底偏压对铝介电击穿的影响2O3.薄膜,作者:Hyun Soo Han,斯坦福大学
  • AF2-WeM12具有RF衬底偏压的高导电氮化铌薄膜低温等离子体增强ALD,作者:亦舒,OIPT

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作者:哈姆·努普斯博士

PlasmaPro集群用于原子尺度处理CVD(用于2D材料生长),ALE和ALD负载锁定

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