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等离子体技术
ALE找到另一个家了吗?

啤酒吗?我听到你在说什么?不,这不是一种用温发酵方法酿造的啤酒,在你们赶去维基百科之前。ALE要刺激得多。这是另一个半导体工艺的缩写,用来描述一个tomicl艾耶尔E开关.ALE是蚀刻的等价物原子层沉积(ALD)。它使用循环的两步蚀刻方法,由初始表面修饰和随后的去除,重复多次。

那么它有什么好处呢?原子层蚀刻在定义纳米特征、保持关键尺寸、减少依赖纵横比的蚀刻和提供光滑表面时,可以更好地控制。这些特性使该技术高度适用于硅晶体管制造的尖端。然而,可能还有另一种应用程序可以利用ALE。宽带隙功率半导体的世界也在寻找解决方案。与硅相比,氮化镓具有更高的温度能力、更高的击穿电压和更低的开关损耗,从而获得更高的功率转换效率。我们感兴趣的方法是helectron能力transistor。具体的设备是增强模式HEMT或e模式HEMT。

有各种各样的器件设计,包括凹式肖特基门,p-GaN门,当涉及到低或不稳定的阈值电压和/或高泄漏电流的特性时,它们有许多缺点。图1所示的反转型器件具有较低的栅漏电流,较高且稳定的阈值电压,但也被证明是难以制造的。它所需要的是一种精确控制蚀刻停止为门凹槽蚀刻和尽量减少固定电荷和界面陷阱的方法。狗万正网地址牛津仪器等离子技术使用的是在室内开发啤酒而且“肾上腺脑白质退化症”确定这些技术是否适合大规模生产。所以如果你想做GaN功率器件让我们看看ALE是否找到了新家。如果做不到,就去酒吧喝杯热啤酒。看这个空间。

作者:Knut Beekman,高级产品经理(蚀刻)

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