2017年我们在ALD学到的

这次在美国丹佛举行的会议是该系列会议中规模最大的一次，约有900人报名参加。等离子体技术提出并共同撰写了几个关于原子层刻蚀和沉积的海报。哈姆·努普斯博士，我们在埃因霍温理工大学的ALD技术销售专家，是计划委员会的成员——该小组做了几次报告。

周六的ALE(原子层蚀刻)海报会议非常紧张!GaN和AlGaN的ALE一直吸引着游客，直到工作人员开始关灯，饮料被收起来。等离子体技术和劳伦斯伯克利实验室的合作产生了一项有趣的二氧化硅ALE研究，在平行板配置中使用射频频率的组合。我们非常自豪的是，我们与IMEC合作的一项关于单层MoS2上的硅原子层刻蚀的工作获得了最佳海报奖。Markus Heyne做得好(见下图)!查看海报。

Richard Gottscho就原子层蚀刻作了一次精彩的全体会议演讲。强调了衬底温度控制的重要性，以及对化学剂量和离子轰击的预期控制。化学物质与表面的结合具有较低的活化能，低到热能足以改变表面剂量。等离子体技术铝电解加工设备的宽控温范围，特别是其低温性能，为铝电解加工工艺的发展提供了额外的角度。

在沉积方面，选择性原子层沉积(ALD)与空间原子层沉积(ALD)竞争S-ALD的使用。选择性ALD是目前学术界研究的热点，而空间ALD正逐渐成为提高ALD沉积速度的首选方法。随着ALD的应用，尤其是锂离子电池应用的成熟，这种情况可能会加万博电脑网页版登录剧。ALD艾尔₂O_3.提高电池性能，如果渗透到涂层碳酸锂颗粒。

会议将于2018年在韩国举行，敬请关注!