等离子体蚀刻101第1部分

遵循我以前的博客文章，我希望您创造了一个很好的蚀刻面具…不要让我再次开始使用面具……那么我们还需要考虑什么？好吧，当我为博士学位进行研究时，我的主管说，每天要做的第一件事就是为血浆神做出小牺牲……我认为我们可以做得更好。

接下来是血浆化学，正确选择这可能是将您的设备提升到高度的蚀刻或将其托运到垃圾箱的蚀刻之间的差异。

蚀刻过程总是由三个要素组成，每个要素都有其自身的优势和缺点：

1. 高能离子和材料被砸碎的物理成分，而表面被砸碎：非常方向性，光滑的表面

   对掩模的缓慢，低选择性，高能离子会引入损害

2. 纯化学成分，血浆中的元素与表面上的元素结合形成本质上挥发并从表面蒸发的化合物：低损伤，高度选择性，快速

   会同时在各个方向上蚀刻，可能的粗糙表面

3. 离子辅助成分在表面上形成的化合物被轰击离子去除，但通常比纯物理蚀刻较低的能量：低损伤，选择性，快速，方向性

您选择创建血浆的气体将决定这些组件中的哪个在您的过程中占主导地位。选择氩气（例如）等惰性气体，您会得到只有物理蚀刻。硫磺硫氟乙烯等气体（SF）₆）会蚀刻硅（SI）以化学的方式非常好，但是除非受控，否则将提供底切的轮廓。为了选择您的气体，请看一下它与样品形成的化合物，以及这些化合物的温度变化，因为这将告诉您它们将如何与您的晶圆相互作用。然后，使用气体组合可以给出更多一种一种蚀刻样式的蚀刻样式，而另一种允许控制选择性，速率和剖面。

无论如何，好吧！显然，这不是整个故事，组件之间的平衡也受到诸如权力，压力和温度等参数的影响。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。也许目前，直到我的下一篇博客文章我透露有关等离子体蚀刻的更多提示。

作者：Mark Dineen博士