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NanoAnalysis |博客
FIB提示和技巧-为TEM加热芯片准备片层

8th作者:约翰·林赛博士

FIB提示和技巧-为TEM加热芯片准备片层

为了在FIB提取过程中提供最好的样品质量,为了优化铣削方向,旋转片层越来越普遍以前的博客.综合OmniProbe旋转和显微镜工作台的标准配方已经计算了常见的薄片重定向,如平面视图(将薄片旋转90o)和背面变薄(将薄片旋转180度o).虽然这些标准配方执行起来很简单,但开发一个工作流来做一些不太常见的事情仍然是一个挑战。

我们最近遇到的一个例子是样品的制备原位TEM实验,在这种情况下使用加热芯片。传统上,这些实验将局限于可以沉积在膜层上的纳米颗粒样本(如我们最近关于高温EDS的博客所见)。通过使用纳米操作器的全部功能,可以从大块材料中制备样品,在这些芯片上进行测试。这是通过在芯片上“接近平面”(接近平面视图方向)但有轻微角度放置FIB提升片层来实现的。

如果取出的薄片是平的(平面),就不可能使两边都变薄,因为加热芯片本身会阻挡FIB,但通过以一个轻微的角度放置FIB,可以使附着在芯片上的样品变薄。下面是放置在加热芯片上的这个方向的例子。

AZtecFeature氧化铝
图1举个大块样品在加热芯片上的例子,左图显示的是片层的FIB图像,片层的两边都可见,这意味着它可以变薄。右边是薄片的电子图像,两个表面都被磨碎,并连接到芯片上。

为了生产这种样品,计算了级和探针的旋转。所需要的级和探头的移动取决于探头z轴与采样平面的夹角、FIB列与采样平面的夹角以及FIB列与探头端口的夹角。结果,但一旦计算出来,他们提供了一个可靠的和可重复的工作流程。

此示例使用的工作流如下所示。这个工作流程的一个奇怪之处是切边,因为当样品旋转时,它很容易被看到。由于Omniprobe的线性运动意味着只需单击一次,就可以可靠地完成举升工作,因此被遮蔽的底部不是个问题。对于使用过旧系统的人来说,这确实感觉很奇怪,但却很有效。

AZtecFeature氧化铝分类
图2FIB和电子图像显示加热芯片的大块凸起

有了旋转舞台和探头的能力,几乎任何方向都是可能的(舞台倾斜和预倾斜使甚至更多的方向)。第一次尝试任何新的几何薄片准备是一个挑战,所以当开发新的工作流程。它可以像标准的吊出一样简单快捷。平面视图和背面等常见几何图形的工作流程已经开发并发布,这意味着这些先进的举升工具现在已经成为常规工具。

要更好地理解这些工作流,或获得创建新工作流的建议,请联系我们的应用程序专家。

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约翰博士林赛

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