瞬变电磁法中的半导体制图——实时求解峰值重叠

半导体器件的开发和测试需要对局部结构和元素组成有广泛的了解。当特征尺寸小于5 nm时，通常需要在S / TEM中进行成像和EDS分析。进入瞬变电磁法后，要获得准确的元素图还需要克服许多困难。半导体的元素分析通常是困难的，因为常用的元素之间的x射线线强烈重叠和低浓度的掺杂剂。不仅掺杂剂的浓度很小，而且它们的x射线线经常与半导体加工中使用的其他材料重叠。这份简报展示了AZtecTEM解决这些重叠，以实现准确的元素分析。