改善mc-Si太阳能电池性能的位错和晶界多尺度分析

太阳能电池在世界范围内的使用正在增加，各种半导体材料已被证明适用于将阳光转化为电荷的活性层。然而，太阳能电池材料中的缺陷和杂质严重影响了产品的效率。

生产改进需要确保Mc-Si太阳能电池可以充分发挥其潜力。这种改进依赖于对这些细胞内纳米级特征的理解。本应用笔记回顾了这些样品可以在纳米和原子尺度上分析的方法，使用电子束诱导电流(EBIC)。

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