使用LayerProbe和OmniProbe 400进行高质量的TEM薄片制备和尖端分析

高分辨率TEM图像质量在很大程度上受到TEM样品(薄片)的厚度以及FIB-SEM样品制备过程中产生的任何表面损伤层的影响。在这里，我们提出了一种能够测量TEM片层局部厚度和组成的新技术，并讨论了其在半导体器件失效分析中的应用。利用FIB-SEM中电子束激发的x射线发射，精确测量了器件不同区域的局部厚度。使用这种方法指导高质量薄片的FIB-SEM制备和表征再沉积的例子显示了Si和III-V半导体器件。

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