故障的识别与隔离

半导体失效分析的一大挑战是找到真正失效的器件。光学技术，如光束诱导电阻变化(OBIRCH)给出了一个一般的区域，但通常没有单个设备的分辨率。即使在扫描电镜中，由于故障点位于被埋的地层中，因此可能无法实际看到。对于这些纳米级器件，电子束诱导电流(EBIC)和电子束吸收电流(EBAC)成像可以对器件的电响应进行可视化和绘图，甚至对于亚表面结构也是如此。全探针200和400实现的可复制纳米级定位允许用最小的器件特征进行电接触。这允许对电流产生的IC器件进行电气测试。

一旦定位到故障设备，通常需要将其隔离或移除以进行进一步的物理分析。这通常是通过提升过程来实现的，以访问埋藏的设备，并允许使用TEM进行高分辨率的调查。随着器件变得越来越小，这就变得越来越困难，提升必须在器件的长度范围内，更具体的位置，以减少对被加工晶圆的其余部分的影响。必须克服这些挑战，同时仍然满足故障分析行业苛刻的吞吐量要求。OP400为这些挑战提供了解决方案。压电驱动的运动允许定位精度到25纳米，允许在最小的特征上的位置特异性。这种小的步长还意味着电子图像中的流体运动，允许用户快速定位探头，并具有可重复性，从而减少了取出的时间。生产效率进一步提高了原位尖端交换，减少了尖端碰撞时的停机时间。

最后，将旋转作为OP400的标准，可以实现大量的样品几何形状，从而实现先进的制备技术，如背面稀释。这样的技术减少了样品中遮挡的影响，因此当样品最终到达TEM时，可以进行更高的分辨率分析。为了确保优化的薄片制备，OmniProbe可以与EDS和AZtec LayerProbe一起使用，以提供关于样品厚度和制造离子束引起的污染的反馈。

应用笔记

相关产品