半导体器件的元素和结构特征“，

随着器件复杂性的增加，无论其功能如何，单片晶圆的价值都在增加。随着该值的增加，将晶圆进行物理分析任务的需求将减少。这增加了对大块样品进行元素表征的需求。实现空间分辨率元素特征的最佳方法之一是使用扫描电子显微镜和EDS。在扫描电镜(SEM)或聚焦离子束(FIB)中进行表征的挑战在于，尽管大多数纳米尺度特征可以使用低kV电子成像，但在这种分辨率和这种条件下的元素分析通常是不可能的。

Ultim Max Extreme可以解决这个问题。极端探测器的优化，允许超高分辨率图像所需条件下的高x射线收集效率，以及AZtec提供的强大x射线光谱处理，使5nm分辨率的批量样品EDS成为可能。在这种分辨率下实现元素特征，减少了对薄样品和透射电子显微镜(TEM)的需求，减少了获取数据的时间，提高了生产率。

然而，对于某些样品，分辨率要求仍然要求制备电子透明样品。无论是表征栅氧化层的均匀性，金属-半导体界面上扩散屏障的完整性，还是PN结中掺杂剂的分布。在样品制备过程中，一些工作仍然可以在FIB中使用传输模式成像进行，由于极高的灵敏度，Ultim extreme仍然是首选检测器。然而，大部分工作都需要TEM，其中埃分辨率成像和元素分析是常规执行的。我们的TEM旗舰探测器Ultim Max TLE是最佳的解决方案。优化的传感器设计确保了最大的灵敏度，而探测器的无窗特性确保了对轻元素的提高灵敏度，如硼，通常用于半导体器件中的p和n型掺杂。

它不仅是材料的基本性质，可以强烈地影响一个设备的性能。金属化特征中的晶体结构、晶粒结构和应变会强烈影响电导率甚至氧化敏感性。无论该特性是前端互连，通过硅通道口(TSV)还是后端键接板，了解结构都是了解设备性能的关键。EBSD通过映射样品表面电子衍射的变化来提供空间分辨率的结构信息。相对较大的特征，如tsv，可以用纳米尺度的颗粒定义其电输运特性。对称EBSD解决了这些问题。作为世界上第一款基于CMOS的EBSD相机，这意味着在相同的材料上，它可以实现比传统基于CCD的EBSD相机快10倍的速度。这意味着可以更快地收集高分辨率EBSD地图。因此，小颗粒可以在大范围内进行分析。

并非所有的分析都需要高分辨率的元素分析。在很多情况下，在理解样本的元素分布时，具有高通量和交互式反馈更为重要。这方面的一个例子是分析焊点处金属间接触层的形成。大量的焊点阵列能够快速识别大量扩散铜焊盘到锡焊料的焊点，通常留给背散射电子成像。使用AZtecLive，现在可以使用BSE和EDS组合执行相同的任务，这增加了额外的信息层，以真正了解导致这种金属间化合物形成的过程。

相关产品