1^英石国际等离子体冷冻蚀刻过程的研讨会

我们很高兴能赞助第一个有关等离子体冷冻蚀刻工艺的国际研讨会（PLANP）。PLATP是使用例如，使用例如，使用例如，例如，使用例如，使用例如，例如，使用例如，使用例如，使用例如，例如，使用例如，使用例如，使用例如，使用例如，使用例如，例如。SF₆，HBR或CL₂- 低于-10°的温度下的血浆化学^C。它包括建模，仿真和/或实验性（原子层）蚀刻常规材料，例如硅，锗，砷化甘蓝，磷化磷脂和新兴材料（2D材料，例如石墨烯或MOS）₂），以及其氧化物和氮化物陶瓷化合物

在安置期间，中伦博士将发表演讲星期三18^Th5月10:50-11：30（CET）。

谈话标题：低温等离子体蚀刻技术

抽象的：低温蚀刻的引入从早期实验室实验到其商业引入。有技术挑战，包括安全；RF偏置表的温度控制；低温冷却；有用的冷却和加热速率；密封技术；样品温度和表温度差异，并保持温度均匀性。硅的冷冻蚀刻通常被认为是对深硅蚀刻过程的互补技术，这也已经开发了大量发展。我们提供了比较这些替代方法的硅蚀刻结果的最新结果。