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制造高质量器件的工艺和用于表征它们的灵敏光谱仪
确保任何设备的最佳发射都需要高质量的制造。从GaAs/AlGaAs的均匀量子阱深度到InP波导或GaN高亮度led的光滑侧壁,我们有了工艺解决方案。我们在氮化镓和III-V材料加工方面的长期经验意味着我们了解如何在批量或单晶圆制造中提供高通量的高质量器件。我们的GaN蚀刻是低损伤的,以保持表面质量,同时我们提供选择性和非选择性GaAs/AlGaAs蚀刻,以提供最佳质量,无论挑战是在vcsel中没有侧壁的缺口或精确的深度控制。一旦一个过程完成了,确定结果的特征显然是非常重要的。光子多量子阱结构的量子阱深度可小于5 nm。对于这些结构,元素特征通常是通过元素色散光谱和透射电子显微镜(TEM)来实现的。我们的X-Max TEM EDS探测器系列,通过优化传感器提供最高的灵敏度,确保了高通量和准确的结果。这允许在几分钟内绘制纳米尺寸的器件特征,从而可以描述样品中元素的真实分布,并了解制造过程的成功。