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Nanoelectrical描述薄绝缘和AFM的电影

薄绝缘薄膜作为电介质层的电子和轻质绝缘电缆。在这些应用程序中,万博电脑网页版登录一个关键性能的介电击穿强度是衡量电影。宏观尺度测量含时绝缘击穿(TDDB)是最常用的表征,但原子力显微镜可以更详细的了解微尺度缺陷影响电影的属性。

本应用笔记描述两个这些绝缘薄膜的表征技术。首先,传统的地形和原子力显微镜(AFM)成像结合导电AFM (CAFM)映射的存在微尺度缺陷在电影和确定当前泄漏发生在这些缺陷。第二,不太为人所知的技术纳米尺度时变介质击穿(nanoTDDB)用于制造纳米级模拟宏观尺度的TDDB测量。这些nanoTDDB测量提供一个更好的了解电影的故障发生在纳米和微尺度。

本应用笔记描述:

  • 概述的动机发展改善介电薄膜
  • 比较介电薄膜沉积与不同的等离子体气相沉积(PVD)技术
  • 映射微尺度缺陷和AFM测量电流泄漏
  • 引入纳米含时介质击穿(nanoTDDB)技术,补充传统的宏观尺度TDDB测量
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