在氧化铪薄膜中表征铁电反应

氧化铪（HFO₂）可以在半导体器件中找到作为高k电介质材料。更新的发展已经允许它沉积作为铁电薄膜，这是一种有希望的材料，用于新一代用于铁电 - 硅结的设备。然而，表征其极其弱的压电反应对常规提出了挑战压电响应显微镜（PFM）。

下载这个新的应用笔记，“表征Si-Doped Hafnium氧化物薄膜的铁电反应，”学习：

• 关于产生铁电hfo的特殊沉积条件₂薄膜
• 如何在消除常见测量伪影时提高PFM测量的灵活性如何提高PFM测量的灵敏度
• PFM如何将压电响应（幅度和域取向）与铁电HFO中的纳米级分辨率表征₂薄膜

（免费下载，庇护的赞美，原子力显微镜技术领导者）