利用AFM解析二维材料扭曲层的角度相关特性

石墨烯和其他二维材料可能是构建“超越cmos”器件的有前途的候选者，能够实现比现有技术所允许的更高的密度和速度。人们发现，将这些材料以轻微的扭转角度分层可以在缺乏固有带隙的石墨烯中产生带隙，或者在过渡金属二卤属化合物(TMDs)等材料中调节带隙。用原子力显微镜描述这些效应需要超高分辨率的结构成像和高灵敏度的电学性质测量。这篇新的应用说明介绍了来自最近三篇出版物的结果，这些出版物演示了如何使用庇护研究AFMs来表征二维材料中扭曲超晶格中的角度依赖特性。

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