铌酸锂高速PFM

铌酸锂高速PFM

在此视频中显示的定期溶性锂铌酸锂测试样本（AR-PPLN，http://www.asylumresearch.com/products/ar-ppln/ar-ppln.shtml）由3 mm x 3 mm linbo组成_3.透明模具厚度为0.5毫米。有源区是相对抛光条带畴的交替图案，其平行于模具的一个轴并且覆盖整个模具表面。结构域的间距为10μm。它在铌酸锂晶片上产生。该过程从具有非常强电场的晶片开始，以产生具有与晶片表面正交的偏振轴的均匀抛光基板。单个光刻光掩模用于在晶片的一侧打印平行条纹的掩模。然后，它在相反方向上偏振，其仅影响未掩蔽的条纹区域并通过晶片的整个厚度传播。由于揭露区域的近距离间隔，偏振可以通过晶片横向“徘徊”，从而使得在晶片的一侧上最佳地使10μm间距周期性偏振，并且在另一侧稍微随意。

对于这些研究，样品被电连接到Cyper AFM中的样品架，包括可选的高压放大器（http://www.asylumresearch.com/products/cypheropter/cyperodions.shtml）。HV-PFM选项可实现高灵敏度，高偏差和无串扰测量压电，包括铁电和多法。悬臂是箭头UHF，用PT膜定制涂覆，使其导电。在该实例中，将短（〜0.5秒）-100伏直流脉冲施加到样品上。该脉冲在图像中间扭曲了域边界。在施加负脉冲之后，我们逐渐增加了正偏压，从零开始并以30 V结束。这足以将域恢复到非常接近原件的状态。

精明观察者会注意到域边界两侧的幅度不相同，实际上这种不对称性随偏差而增加。我们将这种效应归因于kalinin和Bonnell，物理评论B，体积65,125408（2002）和其他参考文献中所讨论的（不希望的）静电偏置效应。