BTO薄膜上的PFM

压电响应力显微镜(PFM)在GaAs / Al0.3Ga0.7As异质结上生长的8 nm厚BTO层的相位图像，以制造受限量子阱。样本用直流偏置进行极化以创建所示的模式。未来的实验将使用极化BTO调制GaAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs量子阱性能。在Cypher S AFM上成像。扫描尺寸10µm。图片由匹兹堡大学Jeremy Levy教授小组的Feng Bi和Giriraj Jnawali提供。