自组装铁电聚合物使鲁棒柔性RAM能够

中国研究人员制作铁电使用自组装P（VDF-TRFE）共聚物随机存取存储器（FERAM）。原型设备的纳米级表征有助于确认设备增强的热稳定性和储存密度为60 GB / IN²。

FERAM器件的高存储密度和低功耗使其使它们具有吸引力数据存储万博电脑网页版登录应用程序。灵活的Feram可以进一步扩展该范围，但无机铁电通常过于脆，有机铁电性具有有限的热稳定性。

清华大学的研究人员从有机铁电聚（偏二氟乙烯 - 二氟乙烯）[P（VDF-TRFE）]制成了原型Feram装置。它们使用低温自组装技术来在纳米南甲酰胺上创造一个对齐的边缘阵列。

纳米级机电实验证明了“比特”的域切换为100x100nm²，表示〜60 GB / IN的储存密度²。此外，一个月后，书面模式几乎没有变化。具有自组装薄膜的装置对比具有旋涂膜的温度稳定稳定。通过在相邻薄片之间的晶界偏移效应来解释该行为。

结果展示了创造更强大，灵活的新策略铁电内存设备。此外，它们说明了用于产生功能纳米材料的自组装的电位。

使用仪器

MFP-3D

使用的技术

所有AFM实验都进行了一次MFP-3DAFM。纳米级地形以接触模式测量，而机电行为被评估为压电响应力显微镜（PFM）技术和导电尖端。这些实验使用了MFP-3D的内置软件，将不同持续时间和幅度的电压脉冲施加到尖端，然后感测样品的面内或平面外响应。使用A温度依赖性PFM测量加热样品阶段为了精确，敏感的温度控制。另外，使用表面潜在图像Kelvin探针力显微镜（KFPM）更好地了解晶界效应。结合，测量说明了MFP-3D AFM的功率，用于实验灵活性而不牺牲易用性。

引文：M. Guo，J. Jiang，J. Qiang等人，通过自组装，来自有机铁电纳米薄片阵列的柔性鲁棒和高密度Feram。adv。SCI。6.，1801931（2019）。https://doi.org/10.1002 / adds.201801931.

笔记：上面的原始文章被公布为在创造性的公共许可下的开放式访问。这里显示的数据在公平使用原始文章中重用，可以通过上面的文章链接访问。