扭曲角如何影响MOS₂/石墨烯异质结构的电导率？

所谓的范德华异质结构，通过堆叠不同的层形成2D材料，为下一代电子产品提供巨大的机会。已经显示出多种异质结构特性在很大程度上取决于扭角（层的相对取向角）。

北京理工学院和中国科学院的研究人员使用导电AFM（CAFM）来衡量MOS的电流变化₂/石墨烯异质结构作为相对扭曲角的函数。CAFM测量的高分辨率和高灵敏度庇护研究Cypher S AFM用于确认晶格不匹配创建的Moiré超级晶格的预期1.18 nm期。

在这项工作中，电导率在MOS中的角度依赖性₂/石墨烯异质结。电流的高敏性成像通过牛津仪器庇护所进行的Cypher S AFM，狗万正网地址发现垂直电导率几乎取决于扭曲角度的差异几乎为五倍。结果有助于为基于MOS的高级设备的设计提供信息₂/石墨烯异质结。

使用的仪器

Cypher s与Orca导电AFM选项

使用的技术

使用敲击模式对地形进行成像。低噪音Cypher s启用了MOS的非常准确的测量₂域高。庇护AFM软件的纳米流动能力用于旋转MOS₂域可实现相对于石墨烯基板的所需旋转角度。尽管大多数电导率测量是在500 nm扫描区域以上进行的，但作者还利用了Cypher的高空间分辨率，以捕获25 nm扫描尺寸的导电AFM图像。在此规模上，在当前图像中可以看到Moiré超级晶格的1.18 nm周期（请参阅期刊站点上的补充数据）。

引用：M. Liao，Z。Wu，L。Du等。跨MOS的扭角依赖性电导率₂/石墨烯异质结。纳特。社区。9，4068（2018）。https://doi.org/10.1038/S41467-018-06555-W

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