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半导体物理学和器件电子学领域已经发展了多年，包括化学、材料、计算机科学、工程的所有分支，甚至生物学。原子力显微镜在过去20年的许多进展中发挥了关键作用。庇护研究所的原子力显微镜为这些复杂的设备和材料提供了广泛的技术。市场上没有任何仪器可以与调查人员可以使用MFP-3D和Cypher AFMs进行询问的材料和设备的广度相匹配。
向AFM专家咨询更多信息J. K. Chang, H. P. Chang, Q. Guo, J. Koo, C. I. Wu和J. A. Rogers，放置板牙。30., 1704955(2018)。https://doi.org/10.1002/adma.201704955
“基于两种电AFM模式的移动载流子的局域特性:多谐波EFM与smm”，雷磊，徐瑞，叶胜，王旭东，许凯，S. Hussain，李永杰，Y. Sugawara，谢磊，季伟，程志成，期刊。Commun。2025013(2018)。https://doi.org/10.1088/2399-6528/aaa85f
“多晶单层二硫化钼的多端mem晶体管，”V. K. Sangwan, H. S. Lee, H. Bergeron, I. Balla, M. E. Beck, K. S. Chen和M. C. Hersam，自然554500(2018)。https://doi.org/10.1038/nature25747
“电化学应变显微镜探测有机电化学晶体管中离子吸收和性能的形态诱导变化，”R. girridharagopal, L. Q. Flagg, J. S. Harrison, M. E. Ziffer, J. Onorato, C. K. Luscombe, and D. S. Ginger，Nat。板牙。16737(2017)。https://doi.org/10.1038/nmat4918
“纸基片上柔性多栅氧化物基电双层晶体管的多功能逻辑演示，”邵飞，冯鹏，万昌，万昕，杨勇，石勇，万庆，放置电子。板牙。3., 1600509(2017)。https://doi.org/10.1002/aelm.201600509
D. A. Scrymgeour, A. Baca, K. Fishgrab, R. J. Simonson, M. Marshall, E. Bussmann, C. Y. Nakakura, M. Anderson, and S. Misra，达成。冲浪。科学。4231097(2017)。https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.06.261
“铁电隧道结的光控电阻和电控光电电压，”胡文杰，王振中，余伟，吴廷栋，Nat。通讯。710808(2016)。https://doi.org/10.1038/ncomms10808
HfO中量子电导、读干扰和开关统计分析2A. Ranjan, N. Raghavan, J. Molina, S. J. O'Shea, K. Shubhakar, and K. L. Pey，Microelectron。的完整性。64172(2016)。https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.112
“高铬酸盐基化学机械抛光材料的去除机理，”程军，王涛，何勇，卢旭东，达成。冲浪。科学。337130(2015)。https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.02.076
P. Ponath, K. Fredrickson, a . B. Posadas, Y. Ren, X. Wu, R. K. Vasudevan, M. B. Okatan, S. Jesse, T. Aoki, M. R. McCartney, D. J. Smith, S. V. Kalinin, K. Lai, and a . a . Demkov，Commun Nat。66067(2015)。https://doi.org/10.1038/ncomms7067
”二维quasi-freestanding高性能有机分子晶体场效应晶体管,”d, y,吴,r·徐h .南j . Liu j .姚元,y, z . Wang y, z镍、j . Wang l .他f .苗族f .歌曲,h .徐渡边k, t .谷口J.-B。Xu, and X. Wang，Commun Nat。55162(2014)。https://doi.org/10.1038/ncomms6162
“用宏观排列的半导体聚合物制作的高迁移率场效应晶体管”。曾宏彬，罗超，王明志，潘宏辉，王明志，王明志。阮，G. C. Bazan和A. J. Heeger，放置板牙。262993(2014)。https://doi.org/10.1002/adma.201305084
J. D. Wood, S. A. Wells, D. Jariwala, K.-S。陈，E. Cho, V. K. Sangwan, X. Liu, L. J. Lauhon, T. J. Marks, M. C. Hersam，Nano。146964(2014)。https://doi.org/10.1021/nl5032293
“柔性基片上的低电压自组装单层场效应晶体管”，T. Schmaltz, A. Y. Amin, A. Khassanov, T. Meyer-Friedrichsen, H.-G。Steinrück, A. Magerl, J. J. Segura, K. Voïtchovsky, F. Stellacci, M. Halik，放置板牙。254511(2013)。https://doi.org/10.1002/adma.201301176
“使用纳米thermocapillary流创建数组的纯半导体单壁碳纳米管,”美国h·金,邓纳姆、j .歌曲,x谢,j . Kim c, a .伊斯兰教,Du, j . Kim j .毛毡类y,熊,m·a·瓦哈卜m·梅农e .赵k . l . Grosse d·j·李,h .钟,e .流行m·a·阿拉姆·w·p·王,y黄和j·a·罗杰斯Nanotechnol Nat。8347(2013)。https://doi.org/10.1038/nnano.2013.56
“铁电效应增强金属/铁电/半导体隧道结的电阻值”，中国科学(d)，Nat。板牙。12617(2013)。https://doi.org/10.1038/nmat3649
“基于垂直氧化锌纳米线的应变门控压电晶体管”，韩伟，周勇，张勇，蔡勇。陈立林，王旭东，王绍林，王振林，ACS Nano63760(2012)。https://doi.org/10.1021/nn301277m
“基于铁电隧道结的固态记忆，”A. Chanthbouala, A. Crassous, V. Garcia, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, J. Allibe, B. Dlubak, J. Grollier, S. Xavier, C. Deranlot, A. Moshar, R. Proksch, N. D. Mathur, M. Bibes和A. Barthélémy，Nanotechnol Nat。7101(2012)。https://doi.org/10.1038/nnano.2011.213
“单层金属氧化物半导体2B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nat。Nanotechnol。6147(2011)。https://doi.org/10.1038/nnano.2010.279
J. W. Park, D. F. Bogorin, C. Cen, D. a . Felker, Y. Zhang, C. T. Nelson, C. W. Bark, C. M. Folkman, X. q Pan, M. S. Rzchowski, J. Levy, C. B. Eom，Commun Nat。194(2010)。https://doi.org/10.1038/ncomms1096
"高分辨率，高灵敏度无机电阻" j·斯托尔斯和d·a·凯斯勒，Microelectron。Eng。86730(2009)。https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.11.034
“用生物分子裁剪GaN半导体表面，”E. Estephan, C. Larroque, F. J. G. Cuisinier, Z. Bálint，和C. Gergely，期刊。化学。B1128799(2008)。https://doi.org/10.1021/jp804112y
“可溶蒽放射性噻吩的有机单晶场效应晶体管”，o.d. Jurchescu, S. Subramanian, R. J. Kline, S. D. Hudson, J. E. Anthony, T. N. Jackson和D. J. Gundlach，化学。板牙。20.6733(2008)。https://doi.org/10.1021/cm8021165
“用化学力显微镜寻找线宽粗糙度的起源，”J. T. Woodward, J. Hwang, V. M. Prabhu和K.-W。崔,纳米电子学的表征和计量前沿(eds。D. G. Seiler, A. C. Diebold, R. McDonald, C. M. Gamer, D. Herr, R. P. Khosla, E. M. Secula)，航会议论文集931413(2007)。https://doi.org/10.1063/1.2799409
L. Zhou, H. Eda, J. Shimizu, S. Kamiya, H. Iwase, S. Kimura, and H. Sato，CIRP安。Manuf抛光工艺。55313(2006)。https://doi.org/10.1016/s0007 - 8506 (07) 60424 - 7
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